一种电阻型存储单元的制备方法

  • Inventors:
  • Assignees: 河南科技大学
  • Publication Date: September 26, 2017
  • Publication Number: CN-105185903-B

Abstract

一种电阻型存储单元的制备方法,涉及非易失性存储器件技术领域,首先,在基板上用导电材料形成下电极层,在下电极层上沉积或旋涂一层绝缘介质层,通过光刻工艺在绝缘介质层上形成沟槽,沟槽的槽底通至下电极层;然后,在沟槽内形成电阻型存储单元的功能层,该功能层为上、下两层的叠层结构,其由非晶态的SnOx层和氮氧化物MnOxNy层叠层构成,非晶态的SnOx中x的取值范围为0<x<2,氮氧化物MnOxNy中的x和y的取值范围分别为1<x<2,0.001<y<2;最后,在功能层上用导电材料形成上电极层,利用平坦化工艺使上电极层与绝缘介质层的表面平齐,即可。本发明制备的电阻型存储单元能够稳定地实现多值存储,能够提高存储单元的存储密度和稳定性。

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